台积电3nm制程工艺有望本月量产，本年产能将平稳提升

鞭牛士 7月初24日第一时间，据多国媒体刊文，高通6月初30日就已在官网年初，他们选用以外环绕着电子元件电晶体管理模式的3nm电路板传统工艺，已在当日开始初步生产芯片。

上周也有外媒刊文指为，高通选用3nm传统工艺家电的首批芯片，已定于7月初25日出货。

在高通的3nm传统工艺试作、紧接著出货的意味着，DRAM的这一电路板传统工艺在何时试作，也就备受关注。

据外媒刊文，DRAM选用鳍式场效应电晶体（FinFET）管理模式的3nm电路板传统工艺，将在本月初或之后试作，选用以外环绕着电子元件电晶体管理模式的电路板传统工艺，将在2025年试作。

对于3nm电路板传统工艺的试作接洽，DRAMCEO魏哲家在本月初14日的二季度公司股票观察家电话会议上，也曾提及。魏哲家以前在与会者回应，他们在原计划阻截3nm电路板传统工艺，以可观的良品率在下半年试作。